5. 缺乏EUV下，多重曝光能否支撐中製HBM發展？

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雖然美光曾證明 1β 製程可跳過 EUV 達成量產，中芯也以 DUV 多重曝光推進至 5 奈米，顯示技術上具可行性，但這對中製 HBM 仍是嚴峻挑戰。HBM 核心在於堆疊高密度 DRAM 晶粒，多重曝光會大幅增加光罩層數與製程複雜度，導致良率下滑與成本飆升。在缺乏 EUV 下，中廠雖能靠補貼與技術優化實現「從無到有」，但面對 HBM3e 以上的高頻寬需求，良率損耗將使商業化競爭力受限，難以在成本與效能上與國際大廠抗衡。