3. 三巨頭資源轉向 HBM，NAND 產能排擠效應多深？

記憶體三巨頭全力衝刺 HBM，對 NAND Flash 的排擠效應主要體現在「資本支出」與「設備投資」的優先順序。由於 HBM 獲利極高且製程複雜，消耗大量晶圓產能，迫使原廠將有限資源由 NAND 轉向 DRAM 領域。這導致 2025 年 NAND 擴產動能受限，反而緩解了過去供過於求的壓力。隨著 AI 伺服器帶動企業級 SSD 需求，這種產能排擠將加速 NAND 市場結構性回溫，確保報價在未來一年具備更強的支撐力道。