1. TC Bonder 如何突破混合鍵合瓶頸？

TC Bonder 透過高精度熱壓與無助焊劑接合技術，有效解決了混合鍵合（Hybrid Bonding）在 HBM4 世代面臨的製程複雜度與良率瓶頸。相較於混合鍵合對表面平整度及環境潔淨度的極苛刻要求，新一代 Wide TC Bonder 能在確保 16 層以上高層數堆疊穩定性的同時，進一步縮減封裝厚度並降低氧化層影響。隨著 HBM5 與 HBM6 邁向 4TB/s 以上頻寬，TC Bonder 憑藉成熟的成本優勢與量產可靠性，成為記憶體大廠在技術轉型過渡期的關鍵設備，成功在效能提升與生產時程壓力間取得平衡。