4. 隨 HBM 堆疊層數增加，散熱有何挑戰？

隨著 HBM 堆疊層數從 12 層邁向 16 層甚至 20 層以上，散熱挑戰主要來自「垂直熱阻」與「局部功率密度」的劇增。當更多 DRAM 晶粒垂直堆疊，熱能傳導路徑變長，且 HBM4 起基礎底層改採邏輯製程，熱源更趨複雜。若採 3D 堆疊於 GPU 上方，峰值溫度恐飆破 140°C。業界正透過 MR-MUF 技術提升導熱率，並導入混合鍵合移除微凸塊以縮減厚度並優化散熱。長遠看，單靠材料改良已不足夠，未來勢必得轉向浸沒式冷卻或流體 TSV 等系統級協同優化方案，才能在維持運算效能的同時，避免晶片因過熱降頻。