面對 2028 年新廠投產前的空窗期，DRAM 短缺的緩解關鍵在於「產線轉換」與「製程微縮」。三星已計畫將部分 NAND 產線轉向 DRAM，並加速平澤 P4 廠於 2026 年投產以填補缺口。此外，當三大原廠全力衝刺 AI 用的 HBM 時，南亞科與華邦電等台廠承接了被排擠的 DDR4 需求，成為穩定消費級市場的重要支柱。短期內，產業將依賴現有廠房導入 1c 等先進製程來提升位元產出，而非單靠物理擴產，這也意味著價格高位震盪將成為常態。
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