南亞科獲資金投入先進製程，能否藉此縮小與國際一線大廠的技術差距？

南亞科近期宣布 2026 年資本支出將加碼至新台幣 500 億元，創下歷史新高，展現衝刺先進製程的決心。這筆資金主要用於加速新廠建設與設備採購，預計 2027 年上半年正式量產，並於 2028 年達到月產能 2 萬片的規模。技術進展方面，南亞科 1B 製程的 DDR5 產品預計於 2026 年上半年小量產出並交付客戶驗證。面對全球三大記憶體原廠將產能轉向高頻寬記憶體（HBM）所引發的排擠效應，南亞科正透過自主研發的 10 奈米級技術，試圖在 DDR4 缺貨潮中穩住市佔，並逐步跨入 DDR5 高階市場。 巨額投資背後反映出南亞科採取「錯位競爭」與「技術追趕」並行的策略。雖然與國際一線大廠在 HBM 等頂尖技術仍有代差，但藉由三大原廠淡出 DDR4 轉向 AI 應用的空窗期，南亞科能利用結構性缺貨取得強大的定價話語權，進而改善毛利並支撐後續研發。隨著 1C 與 1D 製程開發按計畫推進，加上折舊費用降低帶來的成本優勢，南亞科正處於獲利修復的超級週期。未來能否縮小差距，關鍵在於新廠產能爬坡的速度，以及 1B 以上製程在 AI PC 與伺服器市場的滲透率，這將決定其在次世代記憶體市場的長期競爭力。