史丹佛大學發現鑽石與半導體間形成的「碳化矽混合界面」，為散熱技術帶來關鍵啟示：材料接合處的「聲子瓶頸」才是散熱核心。這種混合型態能充當熱量橋樑，大幅降低熱邊界阻力，使元件降溫達 50°C 以上。這預示散熱策略將從外部模組轉向「晶片內建熱骨架」，對 3D 堆疊與高功率 AI 晶片至關重要，不僅能突破算力熱極限，更吸引台積電、三星等大廠布局，成為半導體效能持續增長的關鍵路徑。
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