隨著半導體邁入 2 奈米及先進封裝時代，奈米級精準度成為剛需，直接驅動 X 射線源向「微焦點」與「高能化」迭代。在檢測端，為因應 3D 堆疊與 GAA 結構的內部瑕疵，產業正由閉管轉向開管微焦點技術，以實現高解析度 CT 成像。而在微影端，研發界正探索波長僅 6.x 奈米的「軟 X 光」（B-EUV），試圖突破現有 EUV 極限。此外，XRD 與 XRR 等非破壞性分析技術，也因應極薄膜製程需求，演進至能精確掌握奈米晶粒與界面粗糙度，成為確保良率與材料創新的核心動力。
解鎖更多問題
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報